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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
40
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
18.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
4324
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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