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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
69
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.7
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
8.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
1999
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
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