RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
69
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.7
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
8.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
7.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
1999
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
AMD R748G2400U2S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link