RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
68
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
3933
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link