RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
68
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2949
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link