RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
68
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2960
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link