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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
68
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
3927
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
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