RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
64
70
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
70
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
1971
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link