RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
64
70
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
1,869.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
70
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
1971
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link