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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
64
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
3141
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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