RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
64
En -178% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
2809
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link