RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
64
Intorno -178% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,869.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
23
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
2809
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link