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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
64
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
3524
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology 11137401 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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