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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
50
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3625
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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