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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
50
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
29
读取速度,GB/s
15.3
17.8
写入速度,GB/s
10.9
15.2
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3625
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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