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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
39
读取速度,GB/s
14.8
14.6
写入速度,GB/s
8.7
10.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2513
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
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