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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2298
2583
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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