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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
13.4
14.3
写入速度,GB/s
9.3
10.7
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2298
2583
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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