RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Compara
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2298
3156
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link