RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2298
3156
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link