RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB против Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.3
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2298
3156
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link