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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Compara
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.4
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2055
2321
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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