RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2055
2321
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link