RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3765
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Mushkin 991586 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link