RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3765
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link