RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
91
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
4.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
91
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
6.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
4.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
1214
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link