RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
91
Por volta de 58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
4.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
91
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
6.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
4.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
1214
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link