RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
91
Autour de 58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
4.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
91
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
6.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
4.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
1214
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link