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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
71
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
71
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
1863
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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