RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
71
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
71
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1863
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link