RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
71
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1863
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link