RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
38
En -90% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
20
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3432
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link