RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
38
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3432
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link