RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Compara
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2034
3889
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link