RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.8
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
28
Velocità di lettura, GB/s
12.1
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
16.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2034
3889
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link