RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.6
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2034
3889
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link