RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.6
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2034
3889
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link