RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
45
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3082
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link