RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
45
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3082
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link