RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
77
Autour de -267% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
21
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
20.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
4170
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link