RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
77
Rund um -267% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
20.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
4170
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link