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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
77
En -267% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
20.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
4170
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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