RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3082
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link