RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Compara
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
74
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
74
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
1616
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link