RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
74
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
12.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
74
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2072
1616
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link