RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
74
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
74
Velocità di lettura, GB/s
12.2
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
1616
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link