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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
64
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
64
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2197
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
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