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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
45
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3814
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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