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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
45
Autour de -150% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
18
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3814
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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