RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
45
Por volta de -150% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
18
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
17.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3814
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link