Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 45
    En -45% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.2 left arrow 12
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.9 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 12800
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.0 left arrow 17.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 12.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1939 left arrow 3100
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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